今年底，Intel Alder Lake 12代酷睿平臺(tái)將會(huì)首發(fā)支持DDR5內(nèi)存，因此，2021年將成為DDR5內(nèi)存啟動(dòng)的元年。
這段時(shí)間，DDR5領(lǐng)域開(kāi)始異?；钴S，從顆粒廠商到模組廠商都在積極備戰(zhàn)，加速研發(fā)新產(chǎn)品，各大主板廠商也紛紛投身其中。
國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)品牌朗科科技日前宣布，DDR5內(nèi)存已經(jīng)進(jìn)入研發(fā)階段，來(lái)自美光的首批DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒已抵達(dá)研發(fā)總部。
最新消息稱(chēng)，朗科已經(jīng)完成自產(chǎn)DDR5內(nèi)存模組階段，正在與華碩、微星等主板廠商合作驗(yàn)證兼容性測(cè)試，進(jìn)展順利，已成功開(kāi)機(jī)并運(yùn)行至操作系統(tǒng)。
據(jù)悉，朗科DDR5內(nèi)存模組單根、單面規(guī)格容量為16GB，時(shí)序40-40-40，標(biāo)準(zhǔn)頻率4800MHz，電壓1.1V，采用美光的R5顆粒，編號(hào)為Z9ZSB ES，搭配最新黑板PCB，板號(hào)為KO-8802A-5。
這一顆粒采用1znm工藝制造，F(xiàn)BGA 82-ball封裝，長(zhǎng)寬尺寸分別為11×9毫米。
朗科還宣稱(chēng)，將會(huì)投入研發(fā)頻率達(dá)到甚至超過(guò)10GHz的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品，這也將是內(nèi)存歷史上第一次跨越10GHz大關(guān)。
